制造商:ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-363T-6
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V, 12 V
Id-連續(xù)漏極電流:1.5 A, 1.3 A
Rds On-漏源導通電阻:180 mOhms, 260 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:1.8 nC, 2.4 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1 W
配置:Dual
封裝:Cut Tape
封裝:Reel
系列:US6M11
晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel
商標:ROHM Semiconductor
下降時間:3 ns, 9 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:5 ns, 10 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:20 ns, 30 ns
典型接通延遲時間:5 ns, 8 ns
零件號別名:US6M11
單位重量:7.500 mg