FET 類型：N 溝道
技術：GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）：900V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：15A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：10nC @ 8V
Vgs（最大值）：±18V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：780pF @ 600V
功率耗散（最大值）：78W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：205 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-220AB
封裝/外殼：TO-220-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs