包裝管件
系列-
零件狀態(tài)有源
FET 類型N 通道
技術(shù)GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）
漏源電壓（Vdss）900V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）34A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）63 毫歐 @ 22A, 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）4.4V @ 700μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）17.5nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）980pF @ 600V
FET 功能-
功率耗散（最大值）119W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型通孔
供應(yīng)商器件封裝TO-247-3
封裝/外殼TO-247-3