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STS20N3LLH6
規(guī)格信息:

標準包裝:2,500

類別:分立半導體產品

家庭:FET - 單

系列:DeepGATE?,STripFET? VI

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.7 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1690pF @ 25V

功率 - 最大值:2.7W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應商器件封裝:8-SO

其它名稱:497-10580-2

介紹圖STS20N3LLH6
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STS20N3LLH6Low gate drive power losses STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網548.94 Kbytes共13頁STS20N3LLH6的PDF文件地址 STS20N3LLH6的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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