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STS10P4LLF6
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOIC-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Id-連續(xù)漏極電流:10 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:12.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:34 nC

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:STripFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:STS10P4LLF6

晶體管類型:1 P-Channel

商標:STMicroelectronics

下降時間:20 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:60.6 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:170 ns

典型接通延遲時間:49.4 ns

單位重量:506.600 mg

介紹圖STS10P4LLF6
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STS10P4LLF6P-Channel 40 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1016.04 Kbytes共9頁STS10P4LLF6的PDF文件地址 STS10P4LLF6的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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