系列：DeepGATE?，STripFET? VI
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：180A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：404nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：20500pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.15 毫歐 @ 60A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型
封裝形式Package：H2PAK
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：40V
連續(xù)漏極電流ID：180A
無鉛情況/RoHs：否