制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:H2PAK-2
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:80 V
Id-連續(xù)漏極電流:120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.7 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:120 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:250 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:STripFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:4.8 mm
長度:15.8 mm
產(chǎn)品:Power MOSFET
系列:STH170N8F7-2
類型:STripFET F7
寬度:10.4 mm
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時間:37 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:53 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:79 ns
典型接通延遲時間:38 ns
單位重量:4 g