制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:12 nC
Pd-功率耗散:45 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:SuperMESH
封裝:Tube
系列:STF2LN60K3
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時(shí)間:21 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:8.5 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:23.5 ns
典型接通延遲時(shí)間:10 ns
單位重量:330 mg
STF2LN60K3
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STF2LN60K3 | N-channel 600 V, 4typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packages | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | 1071.4 Kbytes | 共20頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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