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STF28N60M2
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:24 A

Rds On-漏源導通電阻:120 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:37 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:35 W

配置:Single

商標名:MDmesh

封裝:Tube

系列:STF28N60M2

晶體管類型:1 N-Channel

商標:STMicroelectronics

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

單位重量:330 mg

介紹圖STF28N60M2
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
STF28N60M2N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網(wǎng)827.38 Kbytes共14頁STF28N60M2的PDF文件地址 STF28N60M2的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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