制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:24 A
Rds On-漏源導通電阻:120 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:37 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:35 W
配置:Single
商標名:MDmesh
封裝:Tube
系列:STF28N60M2
晶體管類型:1 N-Channel
商標:STMicroelectronics
產(chǎn)品類型:MOSFET
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
單位重量:330 mg
STF28N60M2
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STF28N60M2 | N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP packages | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | 827.38 Kbytes | 共14頁 | 產(chǎn)品購買 |
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