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STD65N55F3
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:55 V

Id-連續(xù)漏極電流:80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:33.5 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.4 mm

長度:6.6 mm

系列:STD65N55F3

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:6.2 mm

商標(biāo):STMicroelectronics

正向跨導(dǎo) - 最小值:50 S

下降時間:11.5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:50 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:35 ns

典型接通延遲時間:20 ns

單位重量:4 g

介紹圖STD65N55F3
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STD65N55F3N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)970.81 Kbytes共8頁STD65N55F3的PDF文件地址 STD65N55F3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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