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STD5N60DM2
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:3.5 A

Rds On-漏源導通電阻:1.38 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:8.6 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:MDmesh

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:STD5N60DM2

晶體管類型:1 N-Channel

商標:STMicroelectronics

下降時間:19.8 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:4.1 ns

工廠包裝數量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:17 ns

典型接通延遲時間:7.2 ns

單位重量:440 mg

介紹圖STD5N60DM2
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
STD5N60DM2N-channel 600 V, 1.38 (ohm) typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網817.03 Kbytes共15頁STD5N60DM2的PDF文件地址 STD5N60DM2的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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