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STD11N65M2
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:7 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:670 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:12.5 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:85 W

商標(biāo)名:MDmesh II Plus

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

產(chǎn)品:Power MOSFET

系列:STD11N65M2

商標(biāo):STMicroelectronics

下降時間:15 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:7.5 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:26 ns

典型接通延遲時間:9.5 ns

單位重量:4 g

介紹圖STD11N65M2
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STD11N65M2Extremely low gate charge STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網(wǎng)1178.56 Kbytes共21頁STD11N65M2的PDF文件地址 STD11N65M2的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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