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制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:80 V

Id-連續(xù)漏極電流:80 A

Rds On-漏源導通電阻:6.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:150 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:167 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:STripFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.4 mm

長度:10.1 mm

產(chǎn)品:Power MOSFET

系列:STD110N8F6

晶體管類型:1 N-Channel

類型:STripFET

寬度:6.6 mm

商標:STMicroelectronics

下降時間:48 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:61 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:162 ns

典型接通延遲時間:24 ns

單位重量:4 g