其它有關(guān)文件：STD100N10F7 View All Specifications
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Low Voltage Power MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：DeepGATE?，STripFET? VII
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：80A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：61nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：4369pF @ 50V
功率 - 最大值：120W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK
其它名稱：497-13548-2