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制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:14.4 A

Rds On-漏源導通電阻:14.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:121 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:5.4 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:TrenchFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.04 mm

長度:6.15 mm

系列:SI7

晶體管類型:1 P-Channel

寬度:5.15 mm

商標:Vishay / Siliconix

正向跨導 - 最小值:31 S

下降時間:90 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:20 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:205 ns

典型接通延遲時間:20 ns

零件號別名:SI7461DP-E3

單位重量:506.600 mg