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SI7456DP-T1
規(guī)格信息：

產(chǎn)品種類MOSFET

晶體管極性N-Channel

汲極/源極擊穿電壓100 V

閘/源擊穿電壓+/- 20 V

漏極連續(xù)電流9.3 A

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）25 mOhms

配置Single

最大工作溫度+ 150 C

安裝風(fēng)格SMD/SMT

封裝 / 箱體PowerPAK SO-8

封裝Reel

下降時(shí)間10 ns

最小工作溫度- 55 C

功率耗散5.2 W

上升時(shí)間10 ns

工廠包裝數(shù)量3000

商標(biāo)名TrenchFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間46 ns

SI7456DP-T1

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
SI7456DP-T1	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	61.46 Kbytes	共4頁	SUM34N10-35,SUP85N10-10,SUM60N10-17,SUD06N10-225L,SI4982DY,SUM47N10-24L,SI2328DS,SI7942DP,SI3430DV,SUP90N10-09	產(chǎn)品購買
SI7456DP-T1-E3	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	145.31 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
SI7456DP-T1-GE3	MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V	Vishay / Siliconix	294.65 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
SI7456DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8	Vishay Siliconix	291.46 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
SI7456DP-T1-GE3	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：5.7A 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：25mΩ @ 9.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 類型：N溝道	VISHAY(威世)	293.15 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買