制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:否
商標(biāo):Vishay / Siliconix
Id-連續(xù)漏極電流:8.5 A
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:13 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :12 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.5 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:39 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:39 ns
系列:SI74xxDx
工廠包裝數(shù)量:3000
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:64 ns
典型接通延遲時(shí)間:27 ns
SI7404DN-T1
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| SI7404DN-T1 | N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 559.91 Kbytes | 共12頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| SI7404DN-T1-E3 | N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 559.91 Kbytes | 共12頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| SI7404DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 | Vishay Siliconix | 109.40 Kbytes | 共6頁 | 產(chǎn)品購買 |
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