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SI7370DP-T1
規(guī)格信息：

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:9.6 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:11 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.9 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8

封裝:Reel

商標:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:12 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:12 ns

商標名:TrenchFET/PowerPAK

典型關閉延遲時間:50 ns

典型接通延遲時間:16 ns

SI7370DP-T1

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
SI7370DP-T1	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	56.22 Kbytes	共5頁	SUD23N06-31L,SUM110N06-3M4L,SUP60N06-18,SI1026X,SUM70N06-11,2N7000,SUD25N06-45L,SI4470EY,SUM110N06-04L,SUP85N06	產(chǎn)品購買
SI7370DP-T1-E3	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	56.22 Kbytes	共5頁	SUD23N06-31L,SUM110N06-3M4L,SUP60N06-18,SI1026X,SUM70N06-11,2N7000,SUD25N06-45L,SI4470EY,SUM110N06-04L,SUP85N06	產(chǎn)品購買
SI7370DP-T1-GE3	MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	Vishay / Siliconix	365.18 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
SI7370DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8	Vishay Siliconix	362.19 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
SI7370DP-T1-GE3	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：9.6A 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：11mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.9W 類型：N溝道	VISHAY(威世)	363.90 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買