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SI2302
規(guī)格信息:

制造商:Micro Commercial Components (MCC)

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:72 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Reel

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:N-Ch Polarity

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):Micro Commercial Components (MCC)

下降時(shí)間:11 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:11 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:34 ns

典型接通延遲時(shí)間:23 ns

單位重量:8 mg

介紹圖SI2302
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SI2302A-TPMCC(美微科)MCC(美微科)的LOGO-天天IC網(wǎng)853.88 Kbytes共4頁(yè)SI2302A-TP的PDF文件地址 SI2302A-TP的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2302B連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):2.5A 漏源電壓(Vdss):20V 柵源極閾值電壓:1.2V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻:70mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 類型:N溝道UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)的LOGO-天天IC網(wǎng)710.96 Kbytes共2頁(yè)SI2302B的PDF文件地址 SI2302B的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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SI2302CDSHalogen-free Option Available TrenchFET?? Power MOSFET TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)168.04 Kbytes共2頁(yè)SI2302CDS的PDF文件地址 SI2302CDS的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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SI2302CDS-T1-E3N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)118.01 Kbytes共5頁(yè)SI2302CDS-T1-E3的PDF文件地址SI1034X_05,SI1058X_08,SI7366DP_05,SI1958DH,SI5486DUV,SI9956DY,SI1300BDL,SI1988DH,SI4114DY,SI1400DL SI2302CDS-T1-E3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2302CDS-T1-GE3N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)118.01 Kbytes共5頁(yè)SI2302CDS-T1-GE3的PDF文件地址SI1034X_05,SI1058X_08,SI7366DP_05,SI1958DH,SI5486DUV,SI9956DY,SI1300BDL,SI1988DH,SI4114DY,SI1400DL SI2302CDS-T1-GE3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2302CDS-T1-GE3N-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1048.02 Kbytes共9頁(yè)SI2302CDS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2302CDS-T1-GE3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
Si2302CDS-T1-GE3連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):2.9A 漏源電壓(Vdss):20V 柵源極閾值電壓:850mV @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 類型:N溝道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO-天天IC網(wǎng)118.17 Kbytes共5頁(yè)Si2302CDS-T1-GE3的PDF文件地址 Si2302CDS-T1-GE3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2302DDSN-Channel 20 V (D-S) MOSFET TFUNK[Vishay Telefunken]TFUNK[Vishay Telefunken]的LOGO-天天IC網(wǎng)209.68 Kbytes共8頁(yè)SI2302DDS的PDF文件地址 SI2302DDS的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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SI2302DDS-T1-GE3MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)209.65 Kbytes共8頁(yè)SI2302DDS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2302DDS-T1-GE3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2302DDS-T1-GE3MOSFET N-CHAN 20V SOT23Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)195.3 Kbytes共8頁(yè)SI2302DDS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2302DDS-T1-GE3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2302DDS-T1-GE3連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):2.9A(Tj) 漏源電壓(Vdss):20V 柵源極閾值電壓:850mV @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 類型:N溝道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO-天天IC網(wǎng)208.56 Kbytes共8頁(yè)SI2302DDS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2302DDS-T1-GE3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2302DDS-T1-GE320V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5VSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO-天天IC網(wǎng)195.3 Kbytes共8頁(yè)SI2302DDS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2302DDS-T1-GE3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2302DSN-channel enhancement mode field-effect transistor PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)257.32 Kbytes共12頁(yè)SI2302DS的PDF文件地址PHP45N03LTA,PSMN165-200K,BSH111,PH1955L,PHP47NQ10T,SI2304DS,PSMN008-75P,PSMN002-25P,PHP54N06T,SI4410DY SI2302DS的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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