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SI1922ED
規(guī)格信息：

制造廠商:TFUNK[Vishay Telefunken]

描述:Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

介紹圖SI1922ED
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
SI1922EDDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET TFUNK[Vishay Telefunken]TFUNK[Vishay Telefunken]的LOGO-天天IC網(wǎng)262.34 Kbytes共12頁SI1922ED的PDF文件地址 SI1922ED的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SI1922EDHDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)261.77 Kbytes共12頁SI1922EDH的PDF文件地址 SI1922EDH的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SI1922EDH-T1-GE3MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)262.35 Kbytes共12頁SI1922EDH-T1-GE3的PDF文件地址 SI1922EDH-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SI1922EDH-T1-GE3MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)259.52 Kbytes共12頁SI1922EDH-T1-GE3的PDF文件地址 SI1922EDH-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SI1922EDH-T1-GE3連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.3A 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：198mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 類型：雙N溝道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO-天天IC網(wǎng)261.21 Kbytes共12頁SI1922EDH-T1-GE3的PDF文件地址 SI1922EDH-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SI1922EDH-T1-GE3SI1922EDH-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 1.3 A; 20 V; 6-Pin SOT-363Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO-天天IC網(wǎng)259.52 Kbytes共12頁SI1922EDH-T1-GE3的PDF文件地址 SI1922EDH-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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