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SI1907DL
規(guī)格信息：

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:530 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:- 12 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:650 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :8 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:270 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-363-6

商標(biāo):Vishay / Siliconix

配置:Dual

最小工作溫度:- 55 C

介紹圖SI1907DL
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
SI1907DLDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)202.64 Kbytes共3頁SI1907DL的PDF文件地址SI5935DC,SI6969DQ,SI1905DL,SI4965DY,SI6973DQ,SI6967DQ,SI5915DC,SI5933DC,SI5905DC,SI4967DY SI1907DL的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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