FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：20A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：16nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：750pF @ 20V
功率耗散（最大值）：1W（Ta），23W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：51 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TP
封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs