不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1020pF @ 20V
功率耗散（最大值）：1W（Ta），35W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：275 毫歐 @ 5.5A，10V
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A（Ta）
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：21nC @ 10V
漏源電壓（Vdss）：100V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
Vgs（最大值）：±20V
供應(yīng)商器件封裝：TP
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs