制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類(lèi):射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS:是
晶體管極性:N-Channel
技術(shù):Si
Id-連續(xù)漏極電流:14 A
Vds-漏源極擊穿電壓:72 V
增益:14 dB
輸出功率:100 W
最大工作溫度:+ 150 C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:M246
封裝:Bulk
配置:Dual
工作頻率:1 GHz
系列:SD56120
類(lèi)型:RF Power MOSFET
商標(biāo):STMicroelectronics
Pd-功率耗散:217 W
產(chǎn)品類(lèi)型:RF MOSFET Transistors
工廠包裝數(shù)量:60
子類(lèi)別:MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V