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SD56120
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:

晶體管極性:N-Channel

技術(shù):Si

Id-連續(xù)漏極電流:14 A

Vds-漏源極擊穿電壓:65 V

增益:14 dB

輸出功率:100 W

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:M246

封裝:Tube

配置:Dual

高度:5.08 mm

長度:29.08 mm

工作頻率:1 GHz

系列:SD56120

類型:RF Power MOSFET

寬度:5.97 mm

商標:STMicroelectronics

正向跨導(dǎo) - 最小值:3 S

通道模式:Enhancement

Pd-功率耗散:217 W

產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors

工廠包裝數(shù)量:60

子類別:MOSFETs

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

介紹圖SD56120
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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