制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):SiC
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:HiP-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流:45 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:80 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.6 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V, - 10 V
Qg-柵極電荷:105 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 200 C
Pd-功率耗散:270 W
配置:Single
商標名:HiP247a?￠
封裝:Tube
系列:SCT30N120
晶體管類型:1 N-Channel
商標:STMicroelectronics
下降時間:28 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:20 ns
工廠包裝數(shù)量:600
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:45 ns
典型接通延遲時間:19 ns
單位重量:38 g