制造商:ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):SiC
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247N-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:93 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V
Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, 22 V
Qg-柵極電荷:133 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:339 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
系列:SCT3x
晶體管類型:1 N-Channel
商標:ROHM Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:12.2 S
下降時間:35 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:53 ns
工廠包裝數(shù)量:450
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:61 ns
典型接通延遲時間:25 ns
零件號別名:SCT3022AL
單位重量:6 g