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制造商:Nexperia

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-262-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:108 V

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:4.4 V

Qg-柵極電荷:111 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:263 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):Nexperia

下降時間:43 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:35 ns

工廠包裝數(shù)量:5000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:87 ns

典型接通延遲時間:20 ns

單位重量:2.387 g