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PSMN8R3-40YS
規(guī)格信息：

封裝:SOT-669

引腳數(shù):4

功耗:74.0 W

極性:N-Channel

包裝方式:Cut Tape (CT)

REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn):No SVHC

含鉛標(biāo)準(zhǔn):Lead free

RoHS標(biāo)準(zhǔn):Exempt

產(chǎn)品生命周期:Not Listed by Manufacturer

介紹圖PSMN8R3-40YS
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
PSMN8R3-40YSN-channel LFPAK 40 V 8.6 m?? standard level MOSFET NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)220.12 Kbytes共13頁PSMN8R3-40YS的PDF文件地址 PSMN8R3-40YS的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN8R3-40YS,115MOSFET N-CH 40V 8.6 mOhm Standard MOSFETNexperiaNexperia的LOGO-天天IC網(wǎng)711.16 Kbytes共13頁PSMN8R3-40YS,115的PDF文件地址 PSMN8R3-40YS,115的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN8R3-40YS,115MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO-天天IC網(wǎng)719.22 Kbytes共13頁PSMN8R3-40YS,115的PDF文件地址 PSMN8R3-40YS,115的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN8R3-40YS,115連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：70A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：4V @ 1mA 漏源導(dǎo)通電阻：8.6mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：74W(Tc) 類型：N溝道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO-天天IC網(wǎng)719.22 Kbytes共13頁PSMN8R3-40YS,115的PDF文件地址 PSMN8R3-40YS,115的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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