制造商:NXP
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:55 A
Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:14 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:85 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
封裝:Rail
商標(biāo):NXP Semiconductors
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:40 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:45 ns
工廠包裝數(shù)量:50
典型關(guān)閉延遲時間:45 ns
典型接通延遲時間:8 ns
PHP55N03LTA
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| PHP55N03LTA | N-channel enhancement mode field-effect transistor | PHILIPS[NXP Semiconductors] | 296.3 Kbytes | 共14頁 | PHP45N03LTA,SI2302DS,BSH111,PH1955L,PHP47NQ10T,SI2304DS,PSMN008-75P,PSMN002-25P,PHP54N06T,SI4410DY | 產(chǎn)品購買 | |||
| PHP55N03LTA,127 | MOSFET N-CH 25V 55A TO220AB | NXP USA Inc. | 294.98 Kbytes | 共14頁 | 產(chǎn)品購買 |
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