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PHP52N06T
規(guī)格信息:

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

商標:NXP Semiconductors

Id-連續(xù)漏極電流:52 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:22 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:120 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:40 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:74 ns

工廠包裝數(shù)量:50

典型關閉延遲時間:70 ns

典型接通延遲時間:15 ns

零件號別名:PHP52N06T,127

介紹圖PHP52N06T
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
PHP52N06TN-channel enhancement mode field-effect transistor PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)104.14 Kbytes共12頁PHP52N06T的PDF文件地址PHP45N03LTA,PSMN165-200K,PH1955L,PHP47NQ10T,SI2302DS,BSH111,PHP54N06T,SI2304DS,PSMN008-75P,PSMN002-25P PHP52N06T的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
PHP52N06TN-channel TrenchMOS standard level FET NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)212.88 Kbytes共13頁PHP52N06T的PDF文件地址 PHP52N06T的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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