制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
Id-連續(xù)漏極電流:150 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.6 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:50 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:83 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:140 S
下降時間:8.1 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:7.4 ns
工廠包裝數(shù)量:1500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:28 ns
典型接通延遲時間:12 ns
NVMFS5C423NLAFT1G
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| NVMFS5C423NLAFT1G | Power MOSFET | ONSEMI[ON Semiconductor] | 85.65 Kbytes | 共6頁 | 產(chǎn)品購買 |
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