FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：86nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：6100pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta）, 166W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：0.92 毫歐 @ 50A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
封裝形式Package：DFN
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：40V
連續(xù)漏極電流ID：46A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs