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FET 類型：P 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：18.5A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：22nC

電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1190pF

電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

功率耗散（最大值）：88W（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：140 毫歐 @ 8.5A，5V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs