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NE552R679A
規(guī)格信息：

安裝：Surface Mount

工作溫度范圍：-55C to 125C

包裝類型：Case 79A

引腳數(shù)：4

元件數(shù)：1

渠道類型：N

篩選等級(jí)：Military

通道模式：Enhancement

弧度硬化：No

正向跨導(dǎo)（典型值）：0.6 S

漏源電壓（最大值）：15 V

功率耗散（最大）：10000 mW

介紹圖NE552R679A
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
NE552R679A3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO-天天IC網(wǎng)68.5 Kbytes共9頁NE552R679A的PDF文件地址NE5510179A,5510279A,NE5510279A,2SB601,2SD2165,RD100HHF1,2SD2217,2SB1628,BF543,NE5511279A-T1 NE552R679A的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
NE552R679A-T13.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO-天天IC網(wǎng)68.5 Kbytes共9頁NE552R679A-T1的PDF文件地址NE5510179A,5510279A,NE5510279A,2SB601,2SD2165,RD100HHF1,2SD2217,2SB1628,BF543,NE5511279A-T1 NE552R679A-T1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
NE552R679A-T1A3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO-天天IC網(wǎng)68.5 Kbytes共9頁NE552R679A-T1A的PDF文件地址NE5510179A,5510279A,NE5510279A,2SB601,2SD2165,RD100HHF1,2SD2217,2SB1628,BF543,NE5511279A-T1 NE552R679A-T1A的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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