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NE552R479A
規(guī)格信息：

制造商:CEL

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:否

Id-連續(xù)漏極電流:230 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:18 V

晶體管極性:N-Channel

技術(shù):Si

Vgs-柵源極擊穿電壓 :2 V

增益:11 dB

輸出功率:26 dBm

最大工作溫度:+ 125 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:79A

商標(biāo):CEL

正向跨導(dǎo) - 最小值:0.4 S

工作頻率:2.45 GHz

Pd-功率耗散:100 mW

類型:RF Power MOSFET

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.4 V

NE552R479A

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
NE552R479A	3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS	CEL[California Eastern Labs]	605.16 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
NE552R479A	NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET	CEL[California Eastern Labs]	495.06 Kbytes	共9頁	NE5520279A,NE5520379A,NE6510179A,1SMB3EZ11,BCP53T1,UPC2710TB,NTE38,BUV27	產(chǎn)品購買
NE552R479A-EVPW24	射頻開發(fā)工具 For NE552R479A-A Power at 2.4 GHz	CEL	1013.85 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
NE552R479A-T1	3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS	CEL[California Eastern Labs]	605.16 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
NE552R479A-T1A	3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS	CEL[California Eastern Labs]	605.16 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
NE552R479A-T1-A	3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS	CEL[California Eastern Labs]	605.16 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
NE552R479A-T1A-A	NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET	CEL[California Eastern Labs]	495.06 Kbytes	共9頁	NE5520279A,NE5520379A,NE6510179A,1SMB3EZ11,BCP53T1,UPC2710TB,NTE38,BUV27	產(chǎn)品購買