FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：1.1A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：5nC @ 5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：180pF @ 10V
功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：210 毫歐 @ 1.3A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：SuperSOT-3
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs