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NDS356AP
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SSOT-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.1 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:200 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.12 mm

長度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:NDS356AP

晶體管類型:1 P-Channel

類型:MOSFET

寬度:1.4 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

下降時(shí)間:17 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:17 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:53 ns

典型接通延遲時(shí)間:8 ns

零件號別名:NDS356AP_NL

單位重量:30 mg

介紹圖NDS356AP
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
NDS356APP-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)78.74 Kbytes共6頁NDS356AP的PDF文件地址P06P03LVG,FDR856P,FDC636P,NDS332P,NDC632P,NDS336P,P06B03LV,NDC652P,NDS352AP,FDN338P NDS356AP的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
NDS356APSUPERSOT-3 TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)258.1 Kbytes共3頁NDS356AP的PDF文件地址 NDS356AP的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
NDS356AP-NB8L005AMOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3ON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)154.52 Kbytes共7頁NDS356AP-NB8L005A的PDF文件地址 NDS356AP-NB8L005A的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
NDS356AP-NLP-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1047.68 Kbytes共9頁NDS356AP-NL的PDF文件地址 NDS356AP-NL的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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