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NCE60P50K
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應管)

漏源電壓（Vdss）60V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）50A

柵源極閾值電壓3.5V @ 250uA

漏源導通電阻23mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）95W

類型P溝道

介紹圖NCE60P50K
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
NCE60P50KNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)414.0 Kbytes共7頁NCE60P50K的PDF文件地址 NCE60P50K的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
NCE60P50KP-Channel 60 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)971.59 Kbytes共7頁NCE60P50K的PDF文件地址 NCE60P50K的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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