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NCE55P30K
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商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）-55V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）-30A

柵源極閾值電壓4V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻40mΩ @ 15A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）65W

類型P溝道

介紹圖NCE55P30K
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NCE55P30KNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)371.5 Kbytes共7頁NCE55P30K的PDF文件地址 NCE55P30K的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
NCE55P30KP-Channel 60 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)971.65 Kbytes共7頁NCE55P30K的PDF文件地址 NCE55P30K的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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