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NCE01P30K
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）-100V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）30A(Tc)

柵源極閾值電壓2.5V @ 250uA

漏源導通電阻58mΩ @ 15A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）120W(Tc)

類型P溝道

介紹圖NCE01P30K
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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NCE01P30KP-Channel 100 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)998.27 Kbytes共9頁NCE01P30K的PDF文件地址 NCE01P30K的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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