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NCE01P18K
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應管)

漏源電壓（Vdss）100V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）18A

柵源極閾值電壓3V @ 250uA

漏源導通電阻100mΩ @ 16A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）70W

類型P溝道

介紹圖NCE01P18K
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
NCE01P18KNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)410.27 Kbytes共7頁NCE01P18K的PDF文件地址 NCE01P18K的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
NCE01P18KP-Channel 100 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)984.94 Kbytes共8頁NCE01P18K的PDF文件地址 NCE01P18K的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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