通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：24 A
最大漏源電壓：1100 V
最大漏源電阻值：290 m0hms
最大柵閾值電壓：6.5V
最大柵源電壓：-40 V、+40 V
封裝類型：SMPD
安裝類型：表面貼裝
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：24
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：500 W
典型接通延遲時(shí)間：53 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：110 ns
典型輸入電容值@Vds：19000 pF@ 25 V
典型柵極電荷@Vgs：310 nC @ 10 V
晶體管材料：Si
系列：HiperFET, Polar
每片芯片元件數(shù)目：1
最低工作溫度：-55 °C
寬度：23.25mm
長(zhǎng)度：25.25mm
高度：5.7mm
正向跨導(dǎo)：32S
正向二極管電壓：1.5V
尺寸：25.25 x 23.25 x 5.7mm
最高工作溫度：+150 °C
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs