制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SMPD-24
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:235 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.4 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:715 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:680 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
高度:5.7 mm
長度:25.25 mm
系列:MMIX1F360N15
類型:TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
寬度:23.25 mm
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:140 S
下降時(shí)間:265 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:170 ns
工廠包裝數(shù)量:20
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:115 ns
典型接通延遲時(shí)間:50 ns