FET類型：P 溝道
電壓-擊穿（V（BR）GSS）：30V
不同Vds（Vgs=0）時的電流-漏極（Idss）：1.5mA @ 15V
不同Id時的電壓-截止（VGS關(guān)）：800mV @ 10nA
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：11pF @ 10V（VGS）
電阻-RDS（開）：300 歐姆
功率-最大值：225mW
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-23-3（TO-236）
RoHS：符合 RoHS
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：30 V
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量：3000
系列：MMBFJ177L
配置：Single
Vgs=0 時的漏極-源極電流：1.5 mA to 20 mA
品牌：ON Semiconductor
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝/外殼：Reel
晶體管極性：P-Channel
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs