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MMBFJ175LT1
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:10

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:JFET(結(jié)點(diǎn)場效應(yīng)

系列:-

包裝:剪切帶(CT)

FET 類型:P 溝道

電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V

漏源極電壓(Vdss):-

不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):7mA @ 15V

漏極電流(Id) - 最大值:-

不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):3V @ 10nA

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):11pF @ 10V(VGS)

電阻 - RDS(開):125 歐姆

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)

功率 - 最大值:225mW

其它名稱:MMBFJ175LT1OSCT

介紹圖MMBFJ175LT1
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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