通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：175 A
最大漏源電壓：80 V
最大漏源電阻值：3.4 m0hms
最大柵閾值電壓：4V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：TO-220
安裝類型：通孔
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
最大功率耗散：209 W
寬度：4.83mm
典型接通延遲時(shí)間：31 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：48 ns
典型輸入電容值@Vds：7200 pF @ 40 V
典型柵極電荷@Vgs：105 nC @ 10 V
晶體管材料：Si
最低工作溫度：-55 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
長(zhǎng)度：10.67mm
高度：16.51mm
正向跨導(dǎo)：90S
正向二極管電壓：1.2V
尺寸：10.67 x 4.83 x 16.51mm
最高工作溫度：+150 °C
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs