通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：18 A
最大漏源電壓：500 V
最大漏源電阻值：270 m0hms
最大柵閾值電壓：4V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類型：TO-220
安裝類型：通孔
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強
最大功率耗散：236 W
典型接通延遲時間：32 ns
典型關(guān)斷延遲時間：222 ns
典型輸入電容值@Vds：2490 pF @ 25 V
典型柵極電荷@Vgs：48 nC @ 10 V
晶體管材料：Si
每片芯片元件數(shù)目：1
最低工作溫度：-55 °C
寬度：4.83mm
高度：16.51mm
正向跨導(dǎo)：13S
正向二極管電壓：1.4V
長度：10.67mm
尺寸：10.67 x 4.83 x 16.51mm
最高工作溫度：+150 °C
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs