通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：11 A
最大漏源電壓：660 V
最大漏源電阻值：550 m0hms
最大柵閾值電壓：5V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類型：TO-220
安裝類型：通孔
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強(qiáng)
最大功率耗散：182 W
長(zhǎng)度：10.67mm
最低工作溫度：-55 °C
高度：16.51mm
每片芯片元件數(shù)目：1
正向跨導(dǎo)：13S
正向二極管電壓：1.4V
最高工作溫度：+150 °C
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：38.4 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：1700 pF @ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：76 ns
典型接通延遲時(shí)間：38 ns
寬度：4.83mm
尺寸：10.67 x 4.83 x 16.51mm
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs