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MDP10N60GTH
規(guī)格信息:

通道類型:N

最大連續(xù)漏極電流:10 A

最大漏源電壓:660 V

最大漏源電阻值:700 m0hms

最大柵閾值電壓:5V

最大柵源電壓:-30 V、+30 V

封裝類型:TO-220

安裝類型:通孔

引腳數(shù)目:3

晶體管配置:

通道模式:增強(qiáng)

最大功率耗散:156 W

最低工作溫度:-55 °C

長(zhǎng)度:10.67mm

高度:16.51mm

正向跨導(dǎo):9S

正向二極管電壓:1.4V

晶體管材料:Si

最高工作溫度:+150 °C

典型輸入電容值@Vds:1360 pF @ 25 V

典型關(guān)斷延遲時(shí)間:116 ns

典型接通延遲時(shí)間:53 ns

寬度:4.83mm

尺寸:10.67 x 4.83 x 16.51mm

每片芯片元件數(shù)目:1

典型柵極電荷@Vgs:32 nC @ 10 V

無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs

介紹圖MDP10N60GTH
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
MDP10N60GTHN-Channel MOSFET 600V, 10A, 0.7(ohm) MGCHIP[MagnaChip Semiconductor.]MGCHIP[MagnaChip Semiconductor.]的LOGO-天天IC網(wǎng)1433.02 Kbytes共8頁(yè)MDP10N60GTH的PDF文件地址 MDP10N60GTH的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
MDP10N60GTHisc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)315.2 Kbytes共2頁(yè)MDP10N60GTH的PDF文件地址 MDP10N60GTH的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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